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碳化硅場效應管
碳化硅SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低,不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET結構實現高耐壓和低阻抗,而且MOSFET原理上不產生尾電流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT時,能夠明顯地減少開關損耗,實現散熱部件的小型化。另外,SiC-MOSFET工作頻率可以遠高于IGBT,其電路中電感電容器件更小,容易實現系統小體積小重量。與同檔600V~900V電壓的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的芯片面積小,可采用更小型封裝,而且體二極管的恢復損耗非常小。目前SiC MOSFET主要應用于高端工業電源,高端逆變器及轉換器,高端電機拖動及控制等。

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