半導體周期調整IGBT逆勢走強頭部公司訂單飽滿紛紛擴產

行業資訊|Industry News|

2022-12-07 01:07:57 756

雖然半導體周期出現階段性調整，但受益于新能源汽車、新能源發電等需求推動，以IGBT（絕緣柵雙扱晶體管）為代表的功率器件強勢增長，A股相關IBGT公司訂單量飽滿，產能供不應求。

車規級IGBT模塊持續放量

作為IGBT龍頭，斯達半導體今年前三季度實現凈利潤達到5.9億元，同比增長1.21倍，增速超過營業收入，銷售毛利率達到41.07%，環比提升。

在12月5日斯達半導三季度業績說明會上，公司高管介紹，近幾個季度營收增長主要驅動力來自公司產品在新能源汽車、光伏、儲能、風電等行業持續快速放量，市場份額不斷提高；

隨著規模化效應釋放、產品結構優化、生產經營效率提高，公司毛利率持續增長。

從收入結構來看，2022年1-9月份，斯達半導來自新能源行業（包含新能源汽車、新能源發電、儲能）的收入占比超過一半，成為公司業績增長的主要推動力。其中，公司的車規級半導體模塊在國內主流新能源汽車廠家大批量應用多年，市場份額不斷提高，已成為國內新能源汽車車規級功率半導體模塊的主要供應商。

據此前披露，斯達半導生產的應用于主電機控制器的車規級IGBT模塊持續放量，上半年合計配套超過50萬輛新能源汽車，并預計下半年配套數量將進一步增加，其中A級及以上車型超過20萬輛。

“公司正在積極擴產以滿足不斷增長的市場需求?！彼惯_半導高管介紹，目前公司訂單飽滿，公司整體產能利用率保持在較高水平，公司正在積極擴產建設以滿足新能源汽車、光伏發電、風力發電、儲能、工業控制等行業不斷增長的市場需求。

產能爬坡影響利潤

IGBT同行宏微科技也受益于新能源市場發展，今年前三季度公司實現凈利潤6125萬元，同比增長約三成；其中，第三季度實現2901萬元，同比上年同比增長近翻倍，銷售毛利率21.77%，約為斯達半導一半。

對于毛利率差異，宏微科技高管在11月接受機構調研時指出，公司2022年全年毛利率相比較2021年處于同等水平，與同行業公司之間還存在一定差距，主要受產線爬坡影響。

“公司接受訂單量飽滿，但由于上游部分核心原材料短缺及公司新增封測產能仍處于爬坡階段，所以目前無法完全滿足市場需求?！焙晡⒖萍几吖芙榻B，由于公司在光伏、電動汽車等領域收入大幅增加，公司積極應對下游客戶需求，資產投入前置，折舊費用陡增，除此以外，整個擴產的產線仍處于爬坡階段，產能利用率有待提升；未來隨著公司下游應用結構調整，產能利用率提升，規?；@現，預計將改善公司毛利率。

主要產品進展方面，宏微科技在12寸IGBT平臺在公司M3i芯片平臺基礎上，上半年開始了微溝槽M4i750V和M6i1200V的研發制樣；公司的M7i微溝槽1200VIGBT首顆產品已通過客戶認證并收獲小批量訂單；車用820A/750V模塊產品已獲得客戶驗證并開始批量交付等。

相比，功率半導體士蘭微在今年前三季度實現凈利潤7.74，同比增長6.43%；其中第三季度凈利潤同比下降約三成。

襯底短缺影響產能

作為IDM模式半導體，士蘭微主要產品包括括集成電路、半導體分立器件、LED產品。今年前三季度公司，士蘭微實現凈利潤7.73億元，同比增長6.43%，其中，受下游消費電子市場需求放緩、限電等影響，公司器件芯片和LED訂單下滑，第三季度公司實現凈利潤同比下降約四成。

近期接受機構調研時，士蘭微高管預計，第四季度公司營收有望穩定向上，汽車新能源的產品已逐步具備大量出貨的條件；白電市場四季度會是*季，可以延續到明年上半年；國產替代還是在加速的過程中，公司將通過更高效的生產運作和更高的質量控制水平贏得市場。

另外，在業績交流會上，士蘭微董事長陳向東指出，今年前三季度實現的收入金額距離公司年初提出的100億收入目標還有較大差距。對此，公司將加快與汽車、新能源等相關的產品產出，努力提升第四季度營收規模。公司對今后幾年營收繼續保持較快增長充滿信心。

在IGBT市場，士蘭微的IGBT單管和模塊在工業領域已經大量應用，并拓展到了新能源和汽車。據介紹，公司12寸IGBT月產能為1.5萬片，但受襯底短缺的影響，實際尚未達標，目前正在解決，加上公司8寸線和6寸線都有IGBT產能，所以IGBT相關的產品營收規模占比已大幅提高，預計未來進一步的成長。

“現在面臨的主要問題是襯底有短缺。我們和上游的供應商都在積極推動解決。二季度對我們困擾比較大的FRD（快恢復二極管）現在也在逐步解決?！笔刻m微高管表示。

目前士蘭微FRD已經開始在12寸上量，MOS產品結構也在調整，其中，最新一代MOS已大量運用到汽車主驅和光伏微逆變器，出貨量還在持續提升。相比，傳統、低價值MOS也在出貨，公司將積極拓展頭部市場，消化相應產能，維持價格相對穩定。

今年10月，士蘭微籌劃定增募資不超過65億元，用于建設“年產36萬片12英寸芯片生產線項目”、“SiC功率器件生產線建設項目”、“汽車半導體封裝項目（一期）”及補充流動資金。

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