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電子百科
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激光二極管芯片結(jié)構(gòu)是怎樣的?
  • 更新日期: 2024-11-19
  • 瀏覽次數(shù): 1850
法布里-珀羅型LD是由n/p包層、夾在包層之間的有源層(發(fā)光層) 和2片鏡片端面構(gòu)成。
激光二極管有哪些特點(diǎn)及用途?
  • 更新日期: 2024-11-19
  • 瀏覽次數(shù): 1716
激光二極管充分利用直進(jìn)性、微小光斑尺寸 (數(shù)um~)、單色性、高光密度、相干性 (coherent) 這些特點(diǎn),被用在各種應(yīng)用上面。
晶體管的主要功能
  • 更新日期: 2024-07-04
  • 瀏覽次數(shù): 2132
晶體管的主要功能是放大和開關(guān)電信號(hào)。它在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用,例如在收音機(jī)中,晶體管能夠放大從空中傳輸過來的微弱信號(hào),然后通過揚(yáng)聲器播放出來,這就是晶體管的放大功能。
柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌
  • 更新日期: 2024-05-10
  • 瀏覽次數(shù): 2378
柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌是指在功率半導(dǎo)體器件(如MOSFET和IGBT)工作時(shí),由于電壓和電流的變化導(dǎo)致柵極和源極之間出現(xiàn)的意外、瞬時(shí)的電壓波動(dòng)現(xiàn)象。這種現(xiàn)象通常會(huì)在開關(guān)操作時(shí)出現(xiàn),特別是在高速開關(guān)過程中更為顯著。
LS MOSFET低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作
  • 更新日期: 2024-05-09
  • 瀏覽次數(shù): 2065
LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣,為各事件進(jìn)行了。與導(dǎo)通時(shí)相比,只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變,其他基本動(dòng)作是一樣的。與導(dǎo)通時(shí)的事件之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系:
SiC MOSFET低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
  • 更新日期: 2024-05-08
  • 瀏覽次數(shù): 1869
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),首先ID會(huì)發(fā)生變化。在這個(gè)過程中,LS的ID沿增加方向流動(dòng),而HS的ID沿減少方向流動(dòng),受到等效電路圖中表示的事件影響,產(chǎn)生了電動(dòng)勢(shì)。這個(gè)電動(dòng)勢(shì)會(huì)導(dǎo)致電流流向源極側(cè)對(duì)CGS進(jìn)行充電,在LS處將VGS向下推,在HS處將VGS向負(fù)極側(cè)拉,產(chǎn)生負(fù)浪涌。
當(dāng)SiC MOSFET橋式電路開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的電流和電壓是怎樣的?
  • 更新日期: 2024-04-30
  • 瀏覽次數(shù): 2137
dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負(fù),因此它們產(chǎn)生的電流和電壓在導(dǎo)通(Turn-on)和關(guān)斷(Turn-off)時(shí)的極性是不同的。
SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路
  • 更新日期: 2024-04-29
  • 瀏覽次數(shù): 2281
LS(低側(cè))側(cè)SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓(VGS)的影響時(shí),需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路在內(nèi)的等效電路。
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
  • 更新日期: 2024-04-28
  • 瀏覽次數(shù): 2258
SiC MOSFET構(gòu)建的同步式升壓電路中最簡(jiǎn)單的橋式結(jié)構(gòu)。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比,區(qū)別在哪?
  • 更新日期: 2024-04-24
  • 瀏覽次數(shù): 3089
SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比,具有以下區(qū)別: 驅(qū)動(dòng)電壓 由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性,其驅(qū)動(dòng)電壓即柵極-源極間電壓Vgs越高時(shí),導(dǎo)通電阻越低。SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻從Vgs約為20V開始變化(下降)并逐漸減小,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅(qū)動(dòng),以充分獲得低導(dǎo)通電阻。換句話說,兩者之間的區(qū)別之一是SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓要比S
碳化硅MOS管(SiC-MOSFET)的特征
  • 更新日期: 2024-04-22
  • 瀏覽次數(shù): 2335
相對(duì)于IGBT,SiC-MOSFET在開關(guān)關(guān)斷時(shí)降低了損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。
SiC-SBD的特征是什么與Si二極管相比有什么不同
  • 更新日期: 2024-04-14
  • 瀏覽次數(shù): 2547
SiC肖特基勢(shì)壘二極管為了形成肖特基勢(shì)壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。這種結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同,其重要特征是具備高速特性。

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