日前，集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的[敏感詞]功率半導(dǎo)體、芯片及數(shù)字電源產(chǎn)品供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL) 推出采用優(yōu)化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新型1200V碳化硅MOS管（αSiC MOSFET）—AOM033V120X2Q。這款1200V 碳化硅MOS管為可接受15V標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器的TO-247-4L車規(guī)封裝，并提供行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的[敏感詞]導(dǎo)通電阻，滿足電動汽車（EV）車載充電機、電機驅(qū)動逆變器和車載充電樁的高效率和可靠性要求。

隨著電動汽車市場每年以成數(shù)百萬個單位的加速發(fā)展，汽車制造商正越來越多地實現(xiàn)800V電氣系統(tǒng)，用以減小系統(tǒng)尺寸和重量的同時也延長了EV續(xù)航里程距離，并顯著提高其充電速度。AOS 1200V車規(guī)級αSiC MOSFET專為這些苛刻的應(yīng)用要求而設(shè)計，與傳統(tǒng)的硅器件相比，具有卓越的開關(guān)性能和效率。

AOM033V120X2Q是1200V / 33mΩ SiC MOS管，其在我們的第二代αSiC MOSFET平臺的基礎(chǔ)上，采用TO-247-4L優(yōu)化封裝。與標(biāo)準(zhǔn)3腳封裝不同，使用額外的開爾文源極(Kelvin Source)感測引腳可降低封裝內(nèi)部回路上的寄生電感，使得該器件能夠在更高的開關(guān)頻率下工作。與標(biāo)準(zhǔn)封裝相比，開關(guān)損耗最多可降低75％。其柵極驅(qū)動電壓僅為15V，可以使柵極驅(qū)動器具有最廣泛的兼容性，從而易于在各種系統(tǒng)設(shè)計中采用。此外，αSiC MOSFET在高溫175°C下導(dǎo)通電阻的增加非常小，大幅度地降低功率損耗并進(jìn)一步提高效率。

“為了持續(xù)推進(jìn)電動汽車技術(shù)取代傳統(tǒng)內(nèi)燃機為主的交通運輸工具，汽車制造商正在努力擴(kuò)大續(xù)航里程并縮短充電時長。隨著我們發(fā)布符合車規(guī)驗證標(biāo)準(zhǔn)資格的1200V αSiC MOSFET，AOS可以為設(shè)計人員提供更先進(jìn)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，以提高效率達(dá)成能效目標(biāo)”。AOS寬禁帶產(chǎn)品高級總監(jiān)David Sheridan表示，“由于產(chǎn)品性能，可靠性和具有批量生產(chǎn)能力的供應(yīng)鏈相結(jié)合，我們的客戶選擇了我們的技術(shù)”。

αSiC MOSFET產(chǎn)品組合將于今年下半年擴(kuò)展，包括更廣泛的靜態(tài)導(dǎo)通電阻和更多封裝選項，以及更多通過AEC-Q101車規(guī)驗證標(biāo)準(zhǔn)資格的產(chǎn)品，請您拭目以待。

技術(shù)亮點

• 通過AEC-Q101車規(guī)驗證標(biāo)準(zhǔn)資格，且提供汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中使用的質(zhì)量保證程序PPAP報告；

• [敏感詞]工作結(jié)溫175°C；

• 低導(dǎo)通電阻且不易受溫度影響；

• 低Qrr和高可靠的寄生二極管；

• 使用額外的開爾文源極(Kelvin Source)感測引腳以實現(xiàn)快速低損耗切換；

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