MOS管的源極和漏極有什么區(qū)別

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2022-03-17 09:21:04 8

一、指代不同

1、源極：簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。T僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

2、漏極：利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)，或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。

二、原理不同

1、源極：在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個(gè)不對(duì)稱的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極，稱為柵極（g），在N型半導(dǎo)體的兩端各引出一個(gè)電極。

2、漏極：將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極。

擴(kuò)展資料：

源極結(jié)構(gòu)原理

在一塊P型半導(dǎo)體的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的N+區(qū)，就可以制成一個(gè)P溝道的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。上圖給出了這種管子的結(jié)構(gòu)示意圖和它在電路中的代表符號(hào)。由結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管代表符號(hào)中柵極上的箭頭方向，可以確認(rèn)溝道的類型。

漏極結(jié)構(gòu)原理

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

參考資料來(lái)源：

百度百科-源極

參考資料來(lái)源：

百度百科-漏極

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請(qǐng)問(wèn)mos管柵極、源極、漏極的由來(lái)

gate相當(dāng)于一個(gè)門(mén)（開(kāi)關(guān)）VG大于VT管子導(dǎo)通，源就是電子來(lái)源的地方，漏就是電子消失（漏掉）的地方。

MOS管的源極和漏極有什么區(qū)別？

通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是ntype，那么通道也會(huì)是ntype

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動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元利用MOS管的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)信息那為什么電荷保?

動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元利用MOS管的柵極電容來(lái)存儲(chǔ)信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能*等于0，所以電荷保存的時(shí)間有限

場(chǎng)效應(yīng)管漏極，源極，柵極的作用?

場(chǎng)效應(yīng)管源極電位比柵極電位高（約0.4V)。

場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件.

有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.

場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.to-3p這種直插式的封裝，有字的一面朝向自己，引腳向下，這樣從左到右依次是 g、c、e。

其中，g就是柵極，

c是集電極，相當(dāng)于d漏極，

e是發(fā)射極，相當(dāng)于s源極。

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MOS的源極和漏極有什么區(qū)別？

1、區(qū)別：源極(source)source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。漏極(drain)drain排出，泄漏，中文翻譯為漏極。起發(fā)射作用的電極。

2、mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。mos管的定義：場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是在一塊n型半導(dǎo)體的兩邊利用雜質(zhì)擴(kuò)散出高濃度的p型區(qū)域，用p+表示，形成兩個(gè)p+n結(jié)。n型半導(dǎo)體的兩端引出兩個(gè)電極，分別稱為漏極d和源極s。把兩邊的p區(qū)引出電極并連在一起稱為柵極g。如果在漏、源極間加上正向電壓，n區(qū)中的多子（也就是電子）可以導(dǎo)電。它們從源極s出發(fā)，流向漏極d。電流方向由d指向s，稱為漏極電流id.。由于導(dǎo)電溝道是n型的，故稱為n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。

場(chǎng)效應(yīng)管（包括結(jié)型和絕緣柵型）的漏極與源極通常制成對(duì)稱的，漏極和源極可以互換使用。

但是有的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在制造產(chǎn)品

時(shí)已把源極和襯底連接在一起了

，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨(dú)引出一個(gè)管腳，形成四個(gè)管腳。一般情況p襯底接低電位，n襯底接高電位。MS在半導(dǎo)體材料的層面上沒(méi)有本質(zhì)區(qū)別,當(dāng)時(shí)在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)時(shí), 一般將襯底極與源極相連,所以MOSFET的開(kāi)關(guān)性能與V_{GS}相關(guān),只要V_{GS}超過(guò)閾值,就導(dǎo)通/截止(取決于耗盡型還是增強(qiáng)型)所以本質(zhì)上S,D是由半導(dǎo)體器件制造時(shí)內(nèi)部連接方式?jīng)Q定的.所以反接會(huì)導(dǎo)致短路

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