長久以來，臺積電在芯片代工領(lǐng)域一直都是扮演著霸主角色。無論代工技術(shù)，還是代工規(guī)模，均是*對手。不過最近一段時間，網(wǎng)上關(guān)于“芯片代工市場變天”、“三星取代臺積電”的消息層出不窮。
原因在于三星在不久前舉辦的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上，展示了全球*3nm芯片。
而且，三星展示的這款芯片不僅使用最先進(jìn)制程工藝，還快臺積電一步升級了GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù)。
簡單來說，目前臺積電和三星生產(chǎn)5nm芯片時，都是使用FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)技術(shù)。三星3nm芯片所采用的GAAFET技術(shù)，被視為是FinFET的次世代技術(shù)。
這項(xiàng)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)是構(gòu)造優(yōu)秀，采用FinFET技術(shù)的芯片，能夠包容更多的晶體管。
而GAAFET技術(shù)不僅保持FinFET技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，還能對芯片上的晶體管進(jìn)行排序調(diào)整，最大限度提升能源利用率。以此達(dá)到節(jié)能、減熱的效果。
根據(jù)三星官方給出的數(shù)據(jù)，使用GAAFET技術(shù)的3nm芯片，比使用FinFET技術(shù)的3nm芯片，功耗降低了50%，性能提升了30%。
如果三星給出的數(shù)據(jù)真實(shí)，那么擁有GAAFET技術(shù)加持的三星3nm芯片，表現(xiàn)必然勝過同時期的臺積電芯片。三星反超臺積電，成為**芯片代工廠商的目標(biāo)或?qū)⒃诮鼉赡昃涂梢詫?shí)現(xiàn)。
不過，臺積電并非是沒有后手。要知道，臺積電在市場上一直都是以精湛的技術(shù)傲視群雄。此次面對來勢洶洶的三星，臺積電也開始提速，并且在芯片工藝上進(jìn)行了技術(shù)升級。
根據(jù)臺媒報道，臺積電將聯(lián)手日本芯片產(chǎn)業(yè)共同沖刺2nm芯片。日本雖然沒有先進(jìn)的晶圓代工廠，但是日本在先進(jìn)工藝的上游卻占有很重要的位置。
以國內(nèi)用戶最為熟悉的EUV光刻機(jī)為例，眾所周知，全球只有ASML一家公司擁有生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的能力。但很多人都不知道，ASML公司缺少日本企業(yè)幫助，也根本不可能造出EUV光刻機(jī)。
日本企業(yè)在EUV光刻機(jī)制造的多個環(huán)節(jié)都發(fā)揮著重要作用。日本東京電子占據(jù)光刻機(jī)涂布顯影設(shè)備市場100%份額，日本Lasertec Corp公司還是全球*能生產(chǎn)EUV光罩檢測設(shè)備的企業(yè)，而在光刻膠銷售方面，日本廠商的份額同樣遙遙*。
對于臺積電而言，借助日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深厚的技術(shù)基礎(chǔ)，新技術(shù)研發(fā)將會事半功倍。而日本同樣十分期待與臺積電合作。事實(shí)上早在2020年，日本就向臺積電伸出了橄欖枝，邀請臺積電赴日建立先進(jìn)的芯片制造工廠。
此外，日本還將東京電子、佳能、SCREEN等本土芯片設(shè)備巨頭拉攏到一起，組出了一支研發(fā)團(tuán)隊(duì)，計劃在今年年中確立2nm之后的次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)，并要求這些公司設(shè)立測試產(chǎn)線，研發(fā)相關(guān)的細(xì)微電加工、洗凈技術(shù)。可以說，日本為此次合作已經(jīng)做好了充足的準(zhǔn)備。
結(jié)合之前臺積電公布的消息來看，臺積電將在2nm工藝上使用MBCFET(多橋通道場效應(yīng)晶體管)技術(shù)，這也是GAAFET技術(shù)的一種，這項(xiàng)工藝會在2023年小規(guī)模試產(chǎn)，2024年開始普及。比三星的3nmGAAFET技術(shù)更先進(jìn)。
而除了三星和臺積電，另外一家芯片巨頭英特爾也對芯片代工市場虎視眈眈。不過，短期來看，英特爾的實(shí)力與三星、臺積電還有不小的差距。
三星和臺積電的強(qiáng)強(qiáng)對話將是未來五到十年芯片代工市場最常見的景象。
你認(rèn)為三星和臺積電哪家廠商會笑到最后？
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