第三代半導(dǎo)體迎來(lái)融資熱潮，SiC/GaN賽道在“爭(zhēng)”什么？

吳清珍|半導(dǎo)體行業(yè)綜研|Semiconductor industry|

2022-04-26 07:31:43 1

“碳中和”趨勢(shì)不斷推動(dòng)，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)在近些年不斷“出圈”。2021年，這些第三代半導(dǎo)體廠商，比如SiC廠商有泰科天潤(rùn)、同光晶體、天域半導(dǎo)體、世紀(jì)金光、基本半導(dǎo)體、芯聚能、南砂晶圓、瞻芯電子等獲得融資，GaN廠商有GaN Systems、Transphorm、IVWorks、VisIC、氮矽科技、鎵未來(lái)、芯元基、芯冠科技等迎來(lái)市場(chǎng)上的融資熱潮。

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力是能源轉(zhuǎn)換革命。用電需求的提升與低碳環(huán)保的需求，讓更智慧、更高效的能源生產(chǎn)、傳輸、配送、儲(chǔ)存和使用方式成為后摩爾時(shí)代的剛需。第三代半導(dǎo)體SiC和GaN將在可循環(huán)的高效、高可靠性能源系統(tǒng)中起到至關(guān)重要的作用。

受益于新能源革命，光伏儲(chǔ)能、新能源汽車以及工業(yè)自動(dòng)化等下游應(yīng)用的多點(diǎn)爆發(fā)，使功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了高景氣周期。日前，由TrendForce集邦咨詢主辦的“化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會(huì)”上，據(jù)集邦咨詢預(yù)測(cè)，2025年全球功率分立器件及模塊市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到274億美金，其中寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN市場(chǎng)份額將從2020年的3%擴(kuò)大到2025年的17%。細(xì)分來(lái)看，全球SiC功率市場(chǎng)規(guī)模將從2020年的6.8億美元增長(zhǎng)至2025年的33.9億美元，其中新能源汽車(主逆變器/OBC/DC-DC)將成為主要驅(qū)動(dòng)力，或在2025年占據(jù)62%市場(chǎng)份額。全球GaN功率市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2020年的4800萬(wàn)美元增長(zhǎng)到2025年的13.2億美元，CAGR達(dá)94%。

圖注：2020-2025年SiC功率市場(chǎng)規(guī)模變化和應(yīng)用市場(chǎng)占比。

圖注：2020-2025年GaN功率市場(chǎng)規(guī)模變化和應(yīng)用市場(chǎng)占比。

Trendforce集邦咨詢的化合物半導(dǎo)體分析師龔瑞驕指出，2019年中國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體(功率+射頻)投資規(guī)模僅有263億人民幣，2020年達(dá)到了709億人民幣，另外從多家企業(yè)得到融資的情況也反饋出市場(chǎng)對(duì)這個(gè)領(lǐng)域的看好。

SiC產(chǎn)業(yè)加速垂直整合，大廠提前鎖定襯底產(chǎn)能

當(dāng)前SiC產(chǎn)業(yè)正在加速進(jìn)行垂直一體化整合，特別是對(duì)SiC襯底的爭(zhēng)奪。羅姆、安森美、STM等器件大廠都在向上游延伸，涉足材料領(lǐng)域。

圖注：SiC并購(gòu)/擴(kuò)展潮中，大廠提前鎖定襯底產(chǎn)能

以6英寸SiC晶圓為例，襯底的價(jià)值約占一半，對(duì)供應(yīng)鏈、技術(shù)、專利壁壘的要求很高。龔瑞驕表示，“SiC襯底具有極高的產(chǎn)品附加值，另外其制程技術(shù)復(fù)雜，它的晶體生長(zhǎng)速度也非常緩慢，是SiC晶圓產(chǎn)能的關(guān)鍵制約點(diǎn)。未來(lái)我們認(rèn)為取得SiC襯底資源將是進(jìn)入下一代電動(dòng)車功率器件的入場(chǎng)門票。”

國(guó)際大廠在SiC方面的布局早已“蓄謀已久”。例如ST在2019年12月2日完成對(duì)瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商N(yùn)orstel AB(“ Norstel”)的整體收購(gòu)，Norstel并購(gòu)案總價(jià)為1.375億美元。

臺(tái)系廠商加碼GaN制程研發(fā)，欲再造代工輝煌

GaN功率市場(chǎng)以GaN-on-Si、GaN-on-Sapphire和垂直GaN器件形式存在，目前應(yīng)用最廣泛的是GaN-on-Si。GaN產(chǎn)業(yè)鏈中外延環(huán)節(jié)至關(guān)重要，目前出現(xiàn)了很多第三方外延片供應(yīng)商，例如英國(guó)IQE，日本NTT-AT以及國(guó)內(nèi)晶湛半導(dǎo)體都處于*地位。但值得注意的是，目前整個(gè)市場(chǎng)絕大部分外部產(chǎn)能仍然掌握在臺(tái)積電這種“外延+器件“深度綁定的代工廠手中。另外目前臺(tái)系廠商正積極投入到GaN制程研發(fā)上，試圖復(fù)制硅晶圓代工上的成功。

圖注：Navitas是GaN消費(fèi)市場(chǎng)最大贏家

Navitas是GaN消費(fèi)市場(chǎng)領(lǐng)域最大玩家，目前已與全球*手機(jī)OEM廠商及PC設(shè)備制造商展開(kāi)合作，包括戴爾、聯(lián)想、小米、OPPO等。老牌電源芯片廠PI則通過(guò)收購(gòu)Velox并利用其GaN-on-Sapphire技術(shù)進(jìn)入該市場(chǎng)。國(guó)內(nèi)廠商英諾賽科今年高低壓產(chǎn)品出貨量大幅增加，另外專注于低壓器件的EPC公司發(fā)展也不錯(cuò)。

隨著產(chǎn)品集成度的提升，目前GaN產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)IDM與垂直分工并存局面。IDM中，除了英諾賽科等極少數(shù)的初創(chuàng)企業(yè)以外，以傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體大廠為主，他們會(huì)更多的考量產(chǎn)品的成熟度、成本等因素。Fabless則更專注于產(chǎn)品的特色化設(shè)計(jì)，基本上都是初創(chuàng)企業(yè)，目前已成為市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵推動(dòng)力。

電動(dòng)車市場(chǎng)應(yīng)用：SiC成主流趨勢(shì)，GaN小批量滲透

自SiC二極管*商業(yè)化以來(lái)、SiC功率市場(chǎng)一直由供電應(yīng)用推動(dòng)，直到其2018年*應(yīng)用于特斯拉主逆變器后，汽車逐漸成為殺手級(jí)應(yīng)用。目前全球汽車市場(chǎng)正將數(shù)十億美金投向SiC，以期待提升電動(dòng)汽車的性能，例如延長(zhǎng)續(xù)航里程、縮短充電時(shí)間等。

據(jù)Trendforce集邦咨詢預(yù)估，隨著電動(dòng)車滲透率不斷升高以及整車架構(gòu)朝高壓化方向邁進(jìn)，保守估計(jì)2025年全球電動(dòng)車市場(chǎng)對(duì)6英寸SiC晶圓的需求量將達(dá)到169萬(wàn)片，其中絕大部分應(yīng)用將會(huì)體現(xiàn)在主逆變器上。

圖注：新能源汽車市場(chǎng)對(duì)SiC晶圓需求

龔瑞驕表示，“影響SiC上車的關(guān)鍵因素是SiC實(shí)現(xiàn)的電池節(jié)約成本和SiC生產(chǎn)成本之間的對(duì)抗。從目前來(lái)看，進(jìn)展是令人滿意的，SiC已經(jīng)被放量使用在OBC和DC-DC組件中，但在主逆變器中應(yīng)用尚不成熟，現(xiàn)階段量產(chǎn)上車的主要是特斯拉、比亞迪和現(xiàn)代。基于這種情況，頭部的SiC器件廠商正與Tier1及車企展開(kāi)緊密合作，以推進(jìn)上車進(jìn)程。”

受限于可靠性等問(wèn)題，GaN上車之路則較為艱難，但TI、GaN Systems、安世等廠商已經(jīng)陸續(xù)推出了相應(yīng)產(chǎn)品，并與車企展開(kāi)深入合作，預(yù)計(jì)近兩年GaN將小批量滲透到低功率OBC、DC-DC中。而除了動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用以外，GaN還將在激光雷達(dá)、車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)等組件中有所體現(xiàn)。

800V SiC逆變器將是下一代高效電動(dòng)車的核心部件。龔瑞驕表示，“電動(dòng)車市場(chǎng)對(duì)于延長(zhǎng)續(xù)航里程及縮短充電時(shí)間有著極大需求，整車平臺(tái)高壓化趨勢(shì)愈演愈烈。以800V平臺(tái)搭載進(jìn)程來(lái)看，保時(shí)捷Taycan是*個(gè)搭載800V高壓平臺(tái)車型，但出于對(duì)整車可靠性的考慮，并未采用SiC技術(shù)，而是沿用了日立IGBT模塊。今年基于現(xiàn)代E-GMP平臺(tái)構(gòu)建的兩款車是*批實(shí)現(xiàn)800V SiC平臺(tái)的車型，而明年上市的小鵬G9則是國(guó)內(nèi)*基于800V SiC平臺(tái)車型。”

最后，除了持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能外，第三代半導(dǎo)體將朝8英寸晶圓及新封裝技術(shù)發(fā)展。當(dāng)前全球SiC襯底量產(chǎn)進(jìn)程從6英寸向8英寸邁進(jìn)，中國(guó)是從4英寸向6英寸邁進(jìn)。為積極推動(dòng)SiC襯底的進(jìn)展，中國(guó)大陸正積極投資SiC襯底項(xiàng)目，其中天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、同光晶體、爍科晶體等廠商都取得了不錯(cuò)的進(jìn)展。在汽車高度電氣化和智能化的趨勢(shì)下，SiC將迎來(lái)大規(guī)模的上車應(yīng)用。GaN功率器件被廣泛應(yīng)用于AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換中，市場(chǎng)主要驅(qū)動(dòng)力來(lái)自消費(fèi)電子，目前已有多家手機(jī)OEM及PC設(shè)備商推出GaN快速充電器。新能源汽車/數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域也將是GaN未來(lái)重點(diǎn)發(fā)展方向。

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