一文讀懂先進封裝的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer

老虎說芯|Tiger Chip|

2024-09-19 10:27:22 544

先進封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點）、RDL（重布線層）、Wafer（晶圓）——在現代半導體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔的功能，從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。

1. Wafer（晶圓）：基礎材料和封裝載體

Wafer 是先進封裝的基礎，作為芯片制造的載體和平臺。它由高純度的硅材料制成，晶圓的質量和尺寸直接影響芯片的性能和良率。先進封裝中，Wafer不僅是芯片制造的核心，也是未來異質集成和多芯片封裝的基礎。

技術作用：晶圓是所有半導體電路加工的基礎，芯片的電路都是在晶圓上進行光刻、刻蝕和沉積等復雜工藝加工而成。

隨著晶圓尺寸的增大（如從200mm到300mm），可以在單個晶圓上制造更多芯片，從而提升生產效率，降低成本。

晶圓的純度和表面平整度對于芯片的性能至關重要，尤其是在先進制程（如3nm、2nm）下，對結構缺陷的控制要求極高。

為什么Wafer是四大要素之一：Wafer作為封裝和集成電路的核心材料，是所有后續封裝步驟的基礎載體。沒有高質量的晶圓，后續的TSV、Bump、RDL等技術也無法實現高效集成。

2. Bump（凸點）：芯片與封裝基板的電氣和機械連接

Bump 是實現芯片與封裝基板之間連接的重要元素，類似于橋梁連接兩者。通過Bump，電信號可以從芯片傳輸到封裝基板，完成芯片與外部系統的通訊。

技術作用：Bump的尺寸和密度對芯片封裝的整體性能起著重要作用，尤其是在微型化封裝（如倒裝芯片技術Flip-Chip）中，凸點的大小和排列會直接影響封裝的可靠性和散熱性能。

現代無鉛材料如銅柱Bump替代了傳統的錫鉛合金凸點，不僅在環保方面更優，還具有更高的導電性和機械強度，適合高性能計算和移動設備。

為什么Bump是四大要素之一：Bump承擔著實現芯片與部基板的可靠電氣連接，并確保穩定的信號傳輸。它是實現芯片封裝接口的核心技術，直接影響芯片的散熱、導電性和機械強度。

3. RDL（Redistribution Layer，重布線層）：重新分配電氣信號

RDL是用于在芯片封裝中重新分配電信號的金屬層，類似于一座城市中的道路網絡。它通過改變芯片上引腳的布局，實現更高密度的信號連接，從而在有限空間內提高封裝性能。

技術作用：RDL能夠擴展和重新分配信號路徑，將芯片上的輸入/輸出引腳（I/O）從密集區域重新布線至較大區域，避免傳統封裝中引腳密度不足的問題。

現代封裝中，RDL層的設計已經從單層發展為多層結構，以應對復雜信號和高密度集成的需求。尤其是在Fan-Out（扇出型）封裝和WLP（晶圓級封裝）中，RDL的精細化布線技術成為核心。

為什么RDL是四大要素之一：RDL通過重新布線，有效提升了芯片的I/O密度和信號傳輸效率，能夠支持多層電路互連以及先進封裝中的異質集成。這使其成為封裝高性能化和小型化不可或缺的技術。

4. TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）：實現垂直方向的電氣互連

TSV 是一種在硅片中開孔，允許電信號在芯片的不同層之間垂直傳輸的技術，主要用于3D集成電路和2.5D封裝。

技術作用：通過TSV技術，芯片可以通過垂直方向的電氣互連，實現多層芯片堆疊，顯著提高了芯片的互連密度和集成度，降低了信號延遲和功耗。

2.5D TSV通過轉接板（interposer）將多個芯片集成在一起，而3D TSV則通過芯片直接垂直堆疊，實現更高的集成度和效率。

為什么TSV是四大要素之一：TSV為垂直方向上的芯片互連提供了有效解決方案，特別是在3D封裝中，TSV可以大大縮短信號傳輸距離，提升芯片集成度，適應了高性能計算和AI芯片對高效能的需求。

小結一下：Wafer、Bump、RDL和TSV是先進封裝中的四大關鍵技術要素，它們分別從材料基礎、連接、信號分配和垂直互連四個角度，解決了高性能封裝中的不同問題。Wafer是芯片封裝的載體，Bump連接芯片與外部基板，RDL優化了信號布線，TSV則實現了垂直互連。它們共同推動了半導體封裝技術向更小尺寸、更高密度和更高性能的方向發展。

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