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四個(gè)氮化鎵在新應(yīng)用領(lǐng)域下的機(jī)遇!
  • 更新日期: 2022-03-17
  • 瀏覽次數(shù): 2771
2021年,隨著5G、消費(fèi)電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換和新能源汽車需求的增加,基站、換能器和充電站的需求將大幅增加,對(duì)氮化鎵和碳化硅饋線的需求將增加。 據(jù) TrendForce集邦咨詢研究顯示,GaN功率元件至2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 13.2億美元,年復(fù)合成長率高達(dá) 94%。 新應(yīng)用下,氮化鎵的“革命”!……
如何正確選擇mosfet場(chǎng)效應(yīng)管
  • 更新日期: 2022-03-17
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如何正確選擇mosfet 場(chǎng)效應(yīng)管 ??場(chǎng)效應(yīng)晶體管廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路,與我們的生活息息相關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是:第一,驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡單。場(chǎng)效應(yīng)管所需的驅(qū)動(dòng)電流比BJT的小得多,通常可以直接由CMOS或開路集電極TTL電路驅(qū)動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度相對(duì)較快,由于沒有電荷存儲(chǔ)效應(yīng),可以以更高的速度工作。此外,……
IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢?
  • 更新日期: 2022-03-17
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IGBT單管和MOS管有哪些區(qū)別呢? 怎么區(qū)別IGBT單管和MOS管呢?我們可以從以下三點(diǎn)進(jìn)行分析。 1.結(jié)構(gòu)上,以n型溝道為例,IGBT與MOS管的區(qū)別在于MOS管的襯底為n型,IGBT的襯底為p型。2.原則上, IGBT相當(dāng)于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導(dǎo)通電阻,但同時(shí)也會(huì)引入拖尾電流等問題。 3.從產(chǎn)品來看, IGBT一般用于高壓電源產(chǎn)品,從600伏到幾千伏不等; MOS管的應(yīng)用電壓相對(duì)較低,從10伏到1000伏左右。 公司電話
薩科微分享比較常見的開關(guān)電源拓?fù)鋱D(2)
  • 更新日期: 2022-03-17
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開關(guān)電源拓?fù)鋱D,作為電子工程師來說應(yīng)該并不陌生,比較常見的基礎(chǔ)型拓?fù)鋱D大約14種,每種都有自身的特點(diǎn)和適用場(chǎng)合。另外還有更多的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖大多也是這些基礎(chǔ)型的組合或變形。以下分享兩種比較常見的,了解下它們電路結(jié)構(gòu)的工作原理與基本特性。 一、Buck 降壓 特點(diǎn): ■把輸入降至一個(gè)較低的電壓……
IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和檢測(cè)方法
  • 更新日期: 2022-03-17
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IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和檢測(cè)方法 IGBT,又稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型晶體管(BJT)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOS)組成的復(fù)合全控電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。它的輸入是MOSFET,輸出是PNP晶體管。因此,它可以被視為金屬氧化物半導(dǎo)體輸入的達(dá)林頓晶體管。 它結(jié)合了MOSFET高輸入阻抗和GTR低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),具有易驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40hz)等特點(diǎn)。它已逐漸取代晶閘管和門極關(guān)斷晶閘管(GTO),是目前發(fā)展最快的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積高效
薩科微比較常見開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹(一)
  • 更新日期: 2022-03-17
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什么是拓?fù)洌克^電路拓?fù)洌褪请娐分泄β势骷碗姶旁倪B接方法,而磁性元件的設(shè)計(jì)、閉環(huán)補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)以及其他所有電路元件的設(shè)計(jì)都依賴于拓?fù)洹W罨镜耐負(fù)溆薪祲海╞uck)、升壓(boost)和降壓/升壓(boost/buck)、非對(duì)稱反激(isolated flyback)、正向、推挽、半橋和全橋變換器。 ……
場(chǎng)效應(yīng)管的作用是什么?
  • 更新日期: 2022-03-17
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場(chǎng)效應(yīng)管用在電路中一般起什么作用? 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,場(chǎng)效應(yīng)管的漏源極之間的距離相當(dāng)于一個(gè)電阻,所以電路中使用的場(chǎng)效應(yīng)管通常起到電壓控制電阻的作用,即電壓控制電流。 具體來說,一是制造像BJT那樣的高速電子開關(guān),例如電磁爐,二是進(jìn)行放大等模擬控制。 具體來說,您可以閱讀有關(guān)模擬電子技術(shù)的書籍。 一般情……
醉的局——暨川渝電子人聯(lián)誼會(huì)前奏曲
  • 更新日期: 2022-03-17
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做出人生第一筆1萬元的公益投資決定并打款后,剛到深圳華強(qiáng)北撈金的偉哥(恒利泰科技總經(jīng)理黃偉)內(nèi)心開始膨脹,他決定吹響外焦里嫩的號(hào)角,在望江樓組個(gè)500元的高端酒局,試一試成都荷花池的水盆能裝多少蒜。 偉哥最壞的打算 偉哥內(nèi)心做好了最壞的打算,如果你們不給面子,那就別怪我渣渣哇……
中國信息產(chǎn)業(yè)商會(huì)電子元器件應(yīng)用與供應(yīng)鏈分會(huì)ECAS第二屆理事會(huì)第四次會(huì)議圓滿結(jié)束
  • 更新日期: 2022-03-17
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12月16日下午,中國信息產(chǎn)業(yè)商會(huì)電子元器件應(yīng)用與供應(yīng)鏈分會(huì)(ECAS)第二屆理事會(huì)第四次會(huì)議在深圳召開。分會(huì)理事長周繼國,副理事長馮偉、王玉成、葉德仁、劉紅兵、朱葉慶、李宏輝、陳智紅、劉杰、吳振洲、吳守農(nóng),理事楊林杰、梅華、李明駿、任武明等出席會(huì)議。分會(huì)秘書長熊宇紅主持會(huì)議。深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生……
P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通條件
  • 更新日期: 2022-03-17
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P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通條件是柵極電位低于漏極電位。 柵極電位比漏極電位低得越多,就越趨于導(dǎo)通。一般低于漏極電位15V就可以完全導(dǎo)通。壓差太大就會(huì)形成柵極擊穿。想關(guān)閉就要把柵極電位拉回漏極。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管只有(耗盡型);MOS管有(增強(qiáng)型)和(耗盡型)。 增強(qiáng)型:就是UGS=0V時(shí)漏源極之間沒有導(dǎo)電溝道,只有當(dāng)UGS>開啟電壓(N溝道)或UGS<開啟電壓(P溝道)才可能出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。 耗盡型:就是UGS=0V時(shí),漏源極之間存在導(dǎo)電溝道。 場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝
薩科微常見模擬電路經(jīng)典問答(五)
  • 更新日期: 2022-03-17
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模擬信號(hào)是指連續(xù)變化的電信號(hào)。模擬電路是電子電路的基礎(chǔ),它主要包括放大電路、信號(hào)運(yùn)算和處理電路、振蕩電路、調(diào)制和解調(diào)電路及電源等。以下是我們常見的模擬電路問答。 薩科微肖特基二極管產(chǎn)品系列 1、空穴是一種載流子嗎?空穴導(dǎo)電時(shí)電子運(yùn)動(dòng)嗎? 答∶不是,但是在它的運(yùn)動(dòng)中可以將其等效為載流子。……
求MOS管型號(hào)推薦!
  • 更新日期: 2022-03-17
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N溝道增強(qiáng)型mos管選型 VGS為零時(shí)完全沒有 那是不可能的,能不能達(dá)到200mA還要取決于你的VDS電壓,要是能承受200mA電流的管子還是很多的,把你的要求具體一下,電流、耐壓和封裝。 什么是MOS管? MOS管全名MOSFET,中文名叫場(chǎng)效應(yīng)管,取英文名的字頭簡稱MOS管,是電壓控制元件,在無刷電動(dòng)機(jī)控制電路中還叫功率開關(guān)管。MOS管是開關(guān)型晶體管,只有通和斷兩種狀態(tài),通就是開,關(guān)是斷。以開通和關(guān)斷時(shí)間比例來控制輸出電壓高低,叫做占空比,電動(dòng)自行車的控制器和充電器都離不開MO

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