SiC推進(jìn)電動化更上一層樓 未來的半導(dǎo)體將如何提升汽車和其他產(chǎn)業(yè)的性能 Cree 公司 Wolfspeed 首席技術(shù)官 John Palmour 眾多電源系統(tǒng)正在從硅 (Si) 技術(shù)向碳化硅 (SiC) 技術(shù)轉(zhuǎn)變。這將是自 20 世紀(jì) 80 年代雙極型半導(dǎo)體向絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)變以來，功率半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷的最大變革。這種轉(zhuǎn)變發(fā)生的同時(shí)，許多受其影響的產(chǎn)業(yè)也正在經(jīng)歷著不同尋常的全面變革時(shí)期。從汽車行業(yè)到太陽能，碳化硅 (SiC) 的優(yōu)勢已經(jīng)變得不可忽視。在經(jīng)歷巨大變

氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ ……

TI的萬用表參考設(shè)計(jì)方案 -數(shù)字萬用表 (DMM) 和 LCR 表 手持式DMM框圖