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技術交流

Technology Exchange
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SiC-MOSFET 芯片技術的發展
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2732
1. 介紹 半導體芯片技術的發展使得功率器件能夠有效的利用電能，比如晶閘管和二極管，在電壓和電流控制方面起到了關鍵的作用。相對目前廣泛應用的Si半導體芯片，寬禁帶半導體SiC芯片可以改進產品的性能并降低損耗。Si……
開關電源環路響應（伯德圖）測試
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 3117
示波器是最重要的電源測試和表征工具。目前，許多示波器都可以提供專用的電源測量選件，以幫助工程師自動完成很多重要測試，例如是德科技InfiniiVision X系列示波器。電源不僅僅需要進行時域的測量，頻域的測量也至關重要。頻率響應測量包括控制環路響應（伯德圖）和電源抑制比（PSRR）。此類特定的激勵響應測量通常是由低頻……
開關電源的二十種拓撲結構
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2371
基本的脈沖寬度調制波形 這些拓撲結構都與開關式電路有關，基本的脈沖寬度調制波形定義如下： Buck降壓 特點： 把輸入降至一個較低的電壓 可能是最簡單的電路 電感/電容濾波器濾平開關后的方波 輸出總是小于或等于輸入 輸入電流不連續(……
中國電科10所：PCBA 冷焊全面分析
  • 更新日期： 2022-03-18
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一.概述 在電子產品裝聯焊接中，虛焊現象一直是困擾焊點工作可靠性的一個最突出的問題，特別是在高密度……
可控硅參數及型號介紹_常用單、雙向可控硅型號介紹
  • 更新日期： 2022-03-18
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前言 ??隨著電器的使用越來越頻繁，我們生活中使用到電器產品的次數也隨之變多，而電器的使用因為是靠著電能的，而電能對我們人體傷害十分的大，因此我們需要對電器產品有著十分高度的注意，而今天小編要介紹的是可控硅型號。 ??隨著電器的使用越來越頻繁，我們生活中使用到電器產品的次數也隨之變多，而電器的使用因……
元器件的失效原因及故障檢查方法
  • 更新日期： 2022-03-18
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電子元器件在使用過程中，常常會出現失效。失效就意味著電路可能出現故障，從而影響設備的正常工作。這里分析了常見元器件的失效原因和常見故障。 電子設備中大部分故障，究其最終原因都是由于電子元器件失效引起的。如果熟悉了元器件的失效原因，及時定位到元器件的故障原因，就能及時排除故障，讓設備正常運行。 ……
IGBT芯片簡史（二）
  • 更新日期： 2022-03-18
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土豪登場-IGBT5 “土豪金” 芯片 特征： 溝槽柵+場截止+表面覆蓋銅 IGBT5是所有IGBT系列里最土豪的產品，別的芯片表面金屬化都用的鋁，而IGBT使用厚銅代替了鋁，銅的通流能力及熱容都遠遠優于鋁，因此IGBT5允許更高的工作結溫及輸出電流。同時……
IGBT芯片簡史（一）
  • 更新日期： 2022-03-18
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話說公元2018年，IGBT江湖驚現第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數代當家掌門人，分別是： 呃，好像分不清這都誰是誰? 呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的。……
雙向可控硅過零電壓觸發驅動電路(MOC3040應用電路)
  • 更新日期： 2022-03-18
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描述 雙向可控硅過零電壓觸發驅動電路(MOC3040應用電路) 這種器件是一種單片機輸出與雙向可控硅之間較理想的接口器件。它由輸入和輸出兩部分組成，輸入部分是一砷化鎵發光二極管。該二極管在5~15mA正向電流作用下發出足夠強度的紅外線,觸發輸出部分。輸出部分是一硅光敏雙向可控硅，在紫外線的作用下可……
2021級清華大學電子信息類迎新大會順利舉辦
  • 更新日期： 2022-03-18
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9月3日上午，2021年清華大學電子信息類迎新大會在羅姆樓舉行。電子信息類首席教授、電子系系主任汪玉、生物醫學工程系系主任王廣志、電子系黨委書記金德鵬、校學術委員會副主任黃翊東、電子系黨委副書記李冬梅、電子系副系主任吳及、電子系副系主任鄧北星、電子系副系主任沈淵、電子系學生組組長李越、新生年級班主任、輔導員及電子信息類……
氮化鎵（GaN）射頻器件為新一代雷達“猛虎添翼”
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 4228
在軍用市場，GaN 射頻器件需求快速增長，根據《第3 代半導體發展概述及我國的機遇、挑戰與對策》數據，僅戰斗機雷達對GaN 射頻功率模塊的需求就將達到7500 萬只。目前，美國海軍新一代干擾機吊艙及空中和導彈防御雷達（AMDR）已采用GaN 射頻功放器件替代GaAs 器件。 射頻技術的進步正在推動無線系統的發展。……
速度提升12倍！日本SiC技術又開掛了？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2570
據日本科技媒體報道，AIST開發了一項高速SiC晶片拋光技術，可以將速度提升12倍，大幅降低成本，該技術即將導入6英寸SiC晶圓的集成加工工藝中： ▲速度更快：傳統轉速50 rpm，新技術達到700rpm。 ▲多片拋光：傳統方式只能單片研磨，新技術可以同時多片加工。 ▲節省材料：不需要研磨液，只需要水……

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