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更新日期： 2022-04-14
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有些晶體管的尺寸超過500億個，這些晶體管比人類頭發絲的寬度還小1萬倍。它們是在巨大的超潔凈廠房地板上制作的，可達七層樓高，長度相當于四個足球場。微芯片在許多方面都是現代經濟的命脈。它們為電腦、智能手機、汽車、電器和其他許多電子產品提供動力。但自疫情以來，世界對它們的需求激增，這也導致供應鏈中斷，導致全……

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集成的尺度和維度

更新日期： 2022-04-01
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集成（integration），是指將不同的單元匯聚到一起，并能實現其特定功能的過程，集成多指人類的活動，而非自然的過程。而集成電路、系統集成是比較常見的名詞。本文圍繞集成的尺度（Scale）和維度（Dimension）兩方面來剖析現代電子集成技術。推薦給大家。

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解析 | 淺析大陸電驅動系統EMR4

更新日期： 2022-04-01
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1. 前言隨著電動汽車在市場上的顯著加速，品牌、細分市場和車型的差異也在不斷增加，最大限度地擴大電驅動系統適用性就顯得及其重要。電驅動系統，如大批量生產的EMR3(第三代電驅動系統)和目前正在開發的EMR4，在系統級采用了多標準優化方法進行設計。與上一代相比，EMR4提高了高達5%的效率……

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開關電源內部的各種損耗

更新日期： 2022-04-01
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開關電源內部主要損耗要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現，下面將分別討論。與功率開關有關的損耗 ……

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新能源汽車電機控制器 IGBT 模塊的驅動技術

更新日期： 2022-04-01
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本文介紹了大型電動汽車中，電機控制器IGBT模塊驅動電路的設計思路，闡述了IGBT模塊的特性、柵極驅動電路的設計與保護，以及IGBT模塊在正常工作中的電流、電壓、溫度保護，并提供了相應的設計原理和驗證方案。 1. 引言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵……

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Boost升壓電路原理及設計詳解

更新日期： 2022-03-30
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Boost電路是一種開關直流升壓電路，它能夠使輸出電壓高于輸入電壓。在電子電路設計當中算是一種較為常見的電路設計方式。本文將給大家介紹boost基本原理、電路參數設計。首先我們需要知道：電容阻礙電壓變化，通高頻，阻低頻，通交流，阻直流；電感阻礙電流變化，通低頻，阻高頻，通直流，阻交流；

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IGBT的耗散功率有多大？

更新日期： 2022-03-30
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前言 ……

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大陸電驅系統EMR4分析

更新日期： 2022-03-18
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1. 前言隨著電動汽車在市場上的顯著加速，品牌、細分市場和車型的差異也在不斷增加，最大限度地擴大電驅動系統適用性就顯得及其重要。電驅動系統，如大批量生產的EMR3(第三代電驅動系統)和目前正在開發的EMR4，在系統級采用了多標準優化方法進行設計。與上一代相比，EMR4提高了高達5%的效率，顯著提升了功率可擴展性，并……

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芯片設計面臨很多挑戰，但是如何解決IP復用和集成問題？

更新日期： 2022-03-18
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汽車、人工智能（AI）、數據處理和智能終端等領域對半導體芯片的強勁需求不斷加速半導體產業的發展，預計到2030年將激增至8085億美元。，普華永道預測，2022年僅AI相關的半導體市場收入就將增長到300億美元以上，年增長率高達50%。與此同時，半導體芯片變得更小、更快、更強大，并且在靈活性和功能性方……

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運算放大器與比較器相比有何不同之處

更新日期： 2022-03-18
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運算放大器和比較器在外觀和原理圖符號上很相似，如果對標志進行打磨，很難區分兩者。此外，許多初學者經常將運算放大器與比較器混淆，因為在某些應用中，運算放大器在許多電路中用作比較器。本文分享了這些差異。圖1 運放管腳示意圖運放和比較器的功能表述如下運算放大器，是一種用于信號調理的模擬……

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MOS管發熱通常是哪些原因導致的

更新日期： 2022-03-18
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MOS管發熱是電路中常見的問題，經常困擾著我們，接下來小編總結出了幾個MOS管發熱的問題及原因： MOS發熱有哪些原因,110不怎么熱，220V輸入時熱的很問題不夠詳細，不過mos管發熱一般有這么幾種：1.負載過重，導致mos管過流發熱。2.推動激勵信號不足，導致mos管發熱。3.激勵信號過強，也會導致mos管發熱。一般mos管工作溫度都在120攝氏度以下，都可以工作的。一般都不會超過70度吧不是的，大部分的mos管最高工作溫度都在120度以下，不過不是絕對的，也有工作溫度低

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