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更新日期： 2022-03-18
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話說公元2018年，IGBT江湖驚現第六代和第七代的掌門人，一時風頭無兩，各路吃瓜群眾紛紛猜測二位英雄的出身來歷。不禁有好事者梳理了一下英家這些年，獨領風騷的數代當家掌門人，分別是：呃，好像分不清這都誰是誰? 呃，雖然這些IGBT“掌門人”表面看起來都一樣，但都是悶騷型的?！?/div>

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雙向可控硅過零電壓觸發驅動電路(MOC3040應用電路)

更新日期： 2022-03-18
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描述雙向可控硅過零電壓觸發驅動電路(MOC3040應用電路) 這種器件是一種單片機輸出與雙向可控硅之間較理想的接口器件。它由輸入和輸出兩部分組成，輸入部分是一砷化鎵發光二極管。該二極管在5~15mA正向電流作用下發出足夠強度的紅外線,觸發輸出部分。輸出部分是一硅光敏雙向可控硅，在紫外線的作用下可……

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2021級清華大學電子信息類迎新大會順利舉辦

更新日期： 2022-03-18
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9月3日上午，2021年清華大學電子信息類迎新大會在羅姆樓舉行。電子信息類首席教授、電子系系主任汪玉、生物醫學工程系系主任王廣志、電子系黨委書記金德鵬、校學術委員會副主任黃翊東、電子系黨委副書記李冬梅、電子系副系主任吳及、電子系副系主任鄧北星、電子系副系主任沈淵、電子系學生組組長李越、新生年級班主任、輔導員及電子信息類……

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氮化鎵（GaN）射頻器件為新一代雷達“猛虎添翼”

更新日期： 2022-03-18
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在軍用市場，GaN 射頻器件需求快速增長，根據《第3 代半導體發展概述及我國的機遇、挑戰與對策》數據，僅戰斗機雷達對GaN 射頻功率模塊的需求就將達到7500 萬只。目前，美國海軍新一代干擾機吊艙及空中和導彈防御雷達（AMDR）已采用GaN 射頻功放器件替代GaAs 器件。射頻技術的進步正在推動無線系統的發展?！?/div>

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速度提升12倍！日本SiC技術又開掛了？

更新日期： 2022-03-18
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據日本科技媒體報道，AIST開發了一項高速SiC晶片拋光技術，可以將速度提升12倍，大幅降低成本，該技術即將導入6英寸SiC晶圓的集成加工工藝中： ▲速度更快：傳統轉速50 rpm，新技術達到700rpm。 ▲多片拋光：傳統方式只能單片研磨，新技術可以同時多片加工。 ▲節省材料：不需要研磨液，只需要水……

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集成電路設計中IP技術及其產業發展特點

更新日期： 2022-03-18
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摘要 ……

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PCB可焊性問題的根本原因如何確定？

更新日期： 2022-03-18
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印制電路板生產制造的過程中，焊接質量的好壞會直接影響整機產品質量的好壞。常見的可焊性問題有：潤濕不良、立碑、裂紋、氣孔、假焊、虛焊、上錫不良和夾渣缺陷等。究其原因，到底是什么導致產品出現此類焊接失效問題的發生呢？這涉及到以下幾個方面： 01 助焊劑、焊料等原料的質量是否滿足要求。原料……

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切片分析技術在電子產品微觀結構中的全應用！

更新日期： 2022-03-18
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電子產品高集成化、微型化發展，電子封裝高精密度、小型化、PCBA高密度互連帶來的精細導線化和微小孔徑化，使得對檢測方法和技術提出了更嚴格的要求。切片分析技術在電子產品微觀檢測方面應用廣泛，起到重要作用！通常被用作電子產品的品質判定和品質異常分析、檢驗電路板品質的好壞、PCBA焊接質量檢測、尋找失效……

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元器件失效分析

更新日期： 2022-03-18
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失效分析基本概念定義：對失效電子元器件進行診斷過程。 1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。 2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復出現。 3、失效模式是指觀察到的失效現象、失效形式……

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10個電源設計中最常用的公式有哪些？本文幫你梳理清楚

更新日期： 2022-03-18
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1 ---MOSFET開關管工作的最大占空比Dmax： ……

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氮化鎵外延用硅襯底問題研究

更新日期： 2022-03-18
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摘?要：隨著硅基氮化鎵外延技術的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產化問題日益凸顯。分析了國產片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數和技術指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質量硅襯底研制指明了一定的方向。氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環境下運……

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