截至2022年底，深圳合計有587家IC企業，其中IC設計企業390家，晶圓制造企業7家，封測企業70家，設備企業79家，材料企業為41家，主要集中在南山和龍崗等。2022年深圳國產IC設計企業產值約724億元，僅次于上海1350億元、北京846億元。 圖：IC設計行業產值城市排名，來自清華魏少軍老師 ……

功率管的最主要的應用是控制電流的通斷，即在一定的電壓條件下對流經器件的電流進行開關控制。首先，在可以承受的擊穿電壓的前提下（即器件的工作電壓平臺），器件導通電阻越低，其導通損耗就越低。其次，器件在開關狀態間切換時，柵極電荷越小，器件的開關速度就越快，其動態損耗就越低。 圖：MOS管結構 對于功率MO……

薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環節。薄膜沉積技術是以各類適當化學反應源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應基團等在襯底表面進行吸附，并在適當的位置發生化學反應或聚結，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質、或半導體材料薄膜。芯片是微型結構體，其內部結構是3D立體式形態，襯……

1、CMP工藝簡介 CMP（Chemical Mechanical Polishing）化學機械拋光，是一個將晶圓表面打磨得光滑平整的過程。想象您在打磨一塊寶石，除了手工的磨削，您還往上滴幾滴特制的藥劑，使其快變得光滑，這就是CMP工藝的縮影，它通過化學反應和機械力的配合，將晶圓表磨削到所需的平整度。 ……

MOSFET的單位面積導通電阻和優值系數(FOM)參數代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產品參數展示的關鍵指標，也是體現MOSFET芯片制造工藝核心技術能力的關鍵指標。 通常來說，MOS管的單位面積導通電阻值和優值系數值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關注優值系數，單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關系，因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。 單位面積導通電阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件導通狀態下，

1、第三代半導體特性 (1)碳化硅 根據《中國戰略性新興產業：新材料(第三代半導體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。 ②耐高溫：半導體器件在較高的溫度下……

瀾起科技：成立于2004年，2019年上市，擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產品線。瀾起科技是國際領先的數據處理及互連芯片設計公司。 行業地位：瀾起科技的內存接口芯片作為連接CPU和內存的“高速公路”,是服務器內存模組的必配芯片，已成功進入國際主流內存、服務器和云計算領域,產品性能和質量受到市場及行業……

CMOS圖像傳感器根據感光元件安裝位置，主要可分為前照式結構(FSI)背照式結構(BSI)。 在背照式結構的基礎上，還可以進一步改良成堆棧式結構(Stacked)。堆棧式結構系在背照式結構將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎上進行進一步改良，在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層，再將兩層芯片疊在一起，芯片的整體面積被極大地縮減。此外，感光元件周圍的邏輯電路也相應移至底層，可有效抑制電路噪聲從而獲取更優質的感光效果。 采用堆棧式結構的CMOS圖像傳感器可在同

1. 背景知識 在我們進入超結MOSFET的細節之前，我們先了解一些背景知識。 MOSFET，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關，……

固態硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態硬盤的核心器件，負責與整機CPU進行數據通信以及NAND 閃存顆粒數據管理，廣泛應用于消費電子、服務器、工業控制等領域。 固態硬盤主控芯片與其配套固件（FW）一起，實現對固態硬盤數據管理、NAND壞塊管理、NAND數據糾錯、NAND壽命均衡、垃圾……

1、紅外線及紅外成像的概念 光在本質上屬于電磁波，根據波長不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構造形成的視覺性能限制，人類只能對波長在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進行感知，無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。 光電成像技術是通過光學……

退火工藝是晶圓制造中的關鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學和機械性質。這些改進對于確保晶圓在后續加工和最終應用中的性能和可靠性至關重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關重要的角色。 1. 退火工藝的定義 退火（annealing）是一種熱處理工藝……