Ø“整流橋+TVS”集成封裝=TVS橋 即把不同規(guī)格TVS（瞬態(tài)二極管）集成在整流橋里的一種新型器件。 TVS橋的特點(diǎn)： ……

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊的傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快20倍，并且可以為尖端的快速充電器產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)三倍的功率提升，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)現(xiàn)有產(chǎn)品。在相同大小的情況下，輸出功率增加三倍。 正是由于這些性能優(yōu)勢(shì)，GaN在消費(fèi)快速充電源市場(chǎng)中具有廣泛的應(yīng)用。充電頭網(wǎng)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)……

人工智能（AI）、邊緣運(yùn)算與萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)，帶來(lái)無(wú)所不在的感測(cè)、通訊與功率解決方案需求，化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備，到手機(jī)上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應(yīng)電力的功率元件，都將因化合物半導(dǎo)體的普遍運(yùn)用，在性能上出現(xiàn)重大突破。 5G通訊頻率高，……

SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長(zhǎng)力的材料，預(yù)計(jì)到2028年市場(chǎng)增長(zhǎng)5倍。 SiC目前有兩大應(yīng)用市場(chǎng)，一是電動(dòng)車逆變器、充電樁、太陽(yáng)能發(fā)電、直流電網(wǎng)中取代硅基IGBT，二是以SiC基板（Substrate，大陸多稱之為襯底，也有稱之為blankraw wafer，空白晶圓）承載GaN做5G基地臺(tái)的RF功率放大。 SiC和GaN都是市場(chǎng)備受矚目的第三代半導(dǎo)體材料，第一代是硅，第二代則是砷化鎵。第三代又稱寬帶隙半導(dǎo)體。其最主要應(yīng)用就是功率電子領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體兩個(gè)最重要參數(shù)

隨著汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展，汽車電子迎來(lái)結(jié)構(gòu)性變革大機(jī)會(huì)。在傳統(tǒng)燃料汽車中，汽車電子主要分布于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、車身、安全、娛樂(lè)等子系統(tǒng)中。按照功能劃分，汽車半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。 對(duì)于新能源汽車而言，汽車不再使用汽油發(fā)動(dòng)機(jī)、油箱或變速器，……

隨著近年來(lái)美國(guó)對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重重禁運(yùn)封鎖廣泛報(bào)道，大家對(duì)第二代半導(dǎo)體中的硅基半導(dǎo)體，也已經(jīng)有很多了解。而今天，我們要談的，是下一代，即第三代半導(dǎo)體中的一種重要材料——碳化硅。 碳化硅（SiC），與氮化鎵（GaN）、金剛石、氧化鋅（ZnO）等一起，屬于第三代半導(dǎo)體。碳化硅等第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬……

近日網(wǎng)絡(luò)盛傳"歐美全面停供中國(guó)汽車芯片"的消息，據(jù)稱歐美政府正在起草一份方案報(bào)告，美國(guó)和歐洲的半導(dǎo)體制造商，全部停止向中國(guó)汽車廠家提供芯片。在消耗完現(xiàn)有的存量后，中國(guó)汽車將進(jìn)入大面積停產(chǎn)狀態(tài)。這或再次掀開(kāi)了中國(guó)半導(dǎo)體“芯片之殤”的傷疤。 中國(guó)自主品牌98%以上的車載半導(dǎo)體來(lái)自于歐美供應(yīng)商，……

【CSDN 編者按】RISC-V 掀起大熱，毫無(wú)疑問(wèn)，它未來(lái)無(wú)限光明、前途無(wú)量，但是，我認(rèn)為它還有不小的進(jìn)步空間。本文將帶領(lǐng)大家一起看看 RISC-V 目前還存在的一些缺陷…… 在硬件設(shè)計(jì)方面，人們經(jīng)常吹捧的一種設(shè)計(jì)是 RISC-V，它的 ISA 是開(kāi)放的……

“02專項(xiàng)”支持下的上市公司全景 提到中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，就不得不提到“02專項(xiàng)”。 特別是在硬科技投資領(lǐng)域，10年前開(kāi)始，就有一大批投資機(jī)構(gòu)圍繞在“02專項(xiàng)”周圍，跟隨著國(guó)家支持集成電路的步伐，展開(kāi)同步投資。 此前，市場(chǎng)上也有消息傳聞，國(guó)家集成電路大基金二期主投方向?yàn)榘雽?dǎo)……

最近，美國(guó)SIA公布了4月份的全球半導(dǎo)體器件銷售額數(shù)據(jù)：和上月相比，4月份的銷售額小幅下跌，和去年同期相比增長(zhǎng)也僅為6.1%。銷售數(shù)據(jù)有突破正常動(dòng)態(tài)區(qū)間的下限、進(jìn)一步下探可能，后續(xù)形勢(shì)不容樂(lè)觀 從區(qū)域分布的詳細(xì)數(shù)據(jù)上看，這次全球所有其它國(guó)家地區(qū)都呈現(xiàn)下跌，僅有中國(guó)大陸的銷售額小幅反彈，使得……

我上個(gè)月發(fā)布了球主要晶圓廠分布統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)的第一版，得到不少行業(yè)內(nèi)同仁的指點(diǎn)和建議。所以這次我根據(jù)大家的反饋，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行了修改和整理。 1）修改部分錯(cuò)誤信息 2）增加部分遺漏工廠/供應(yīng)商 3）增加主要晶圓廠的封測(cè)工廠信息 4）增加產(chǎn)品類型信息 由于數(shù)據(jù)收集整理的工作量比較大，所以目前為……

根據(jù)日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省最新公布數(shù)據(jù)，日本5月份本土半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值達(dá)到1430.39億日元，較去年同期增長(zhǎng)23.3%。其中： 晶圓制造設(shè)備：產(chǎn)值23.27億日元，同比增長(zhǎng)5.2% 晶圓加工設(shè)備：產(chǎn)值1101.50億日元，同比增長(zhǎng)33.3% 封裝測(cè)試設(shè)備：產(chǎn)值55.06億日元，同比增長(zhǎng)-64.84% 其……