引言：當AI芯片突破摩爾定律，防護技術正成為隱形戰場

近日，珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息，在半導體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成為國產AI芯片崛起的標志性事件。然而，在算力狂飆的表象之下，一個常被忽視的真相是：每一次芯片性能的躍升，都離不開防護元件的靜默守護。薩科微半導體推出的SLESD5Z36瞬態抑制二極管，正以“隱形冠軍”的姿態，為AI時代的硬件安全筑起銅墻鐵壁。

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SLESD5Z36產品圖

一、AI芯片爆發背后：防護需求呈指數級增長

AI芯片的高密度集成與低功耗設計，使其對電磁干擾（EMI）、靜電放電（ESD）等瞬態電壓事件愈發敏感。珠海皓澤VVT300的流片成功，標志著國內廠商在先進制程工藝和架構設計上的突破，但其背后隱藏的挑戰同樣值得關注：

· 納米級制程脆弱性：7nm/5nm工藝下，晶體管柵極氧化層厚度僅1-2nm，一次ESD事件即可造成不可逆損傷；

· 高頻信號完整性：AI芯片內部數?；旌闲盘柌⑿刑幚恚雷o元件需兼具低電容（<30pF）與高響應速度；

· 功耗與散熱平衡：防護器件需避免成為熱設計瓶頸，同時滿足AEC-Q101等車規級認證要求。

薩科微SLESD5Z36的推出，恰是針對上述痛點的精準打擊。其28pF超低壓電結電容、55V箝位電壓與SOD-523微型封裝的組合，使其在保護AI芯片I/O端口、電源軌及高速接口時，幾乎不引入額外寄生參數，成為高集成度設計的“隱形護衛”。

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SLESD5Z36規格書

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SLESD5Z36相關參數

二、技術拆解：SLESD5Z36如何定義AI防護新標桿

三大核心優勢賦能AI場景：

1. 超低電容設計：在保護AI芯片PCIe 5.0/HDMI 2.1等高速接口時，避免信號失真，支持28Gbps數據傳輸；

2. 精準箝位能力：55V箝位電壓與40V擊穿電壓的“黃金差”，確保在ESD沖擊下快速導通，同時避免誤觸發；

3. 熱穩定性：采用優化摻雜工藝，在125℃高溫下仍保持90%以上防護效能，適配自動駕駛域控制器等嚴苛場景。

三、生態協同：從“單點防護”到“系統級安全”

薩科微的技術突破，正在重塑半導體防護邏輯。以珠海皓澤VVT300為代表的AI芯片，其安全防護已不再是簡單的TVS管堆疊，而是需要：

· 全生命周期防護：從晶圓級測試到終端應用，薩科微提供HBM 8kV、CDM 1.5kA等級防護方案；

· 定制化設計支持：針對AI芯片電源樹（Power Delivery Network）優化，提供多通道陣列式防護布局；

· 失效模式預警：通過集成溫度傳感器與智能監測IC，實現防護器件的健康狀態實時監控。

結語：AI革命的“隱形守護者”正在覺醒

當行業聚焦于算力軍備競賽時，薩科微用SLESD5Z36證明：半導體安全的每一寸進步，都在為技術創新托底。從珠海皓澤的VVT300到全球AI芯片浪潮，防護元件正成為決定產品成敗的“隱性基因”。對于工程師而言，選擇薩科微意味著選擇一種“預防為主”的硬件哲學——在算力狂飆的時代，安全從不是[敏感詞]品，而是生存的必需品。

薩科微slkor瞬態抑制二極管（TVS）

薩科微slkor榮譽資質和科研成果

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