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技術交流

Technology Exchange
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為什么MOS管要并聯個二極管，有什么作用？體二極管的原理
  • 更新日期： 2022-05-09
  • 瀏覽次數： 7402
MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，根據導電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內可以看到，MOS在D、S極之間并聯了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準確呢？很多同學也非常好奇：為什么要并聯這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結構說起，不
詳解IGBT驅動電路設計
  • 更新日期： 2022-05-06
  • 瀏覽次數： 4289
IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。 理想等效
SiC功率模塊封裝技術及展望
  • 更新日期： 2022-05-06
  • 瀏覽次數： 3119
近幾十年來，以新發展起來的第 3 代寬禁帶功率半導體材料碳化硅（SiC）為基礎的功率半導體器件，憑借其優異的性能備受人們關注。SiC與第1代半導體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導體材料砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、GaAsAl、GaAsP 等化合物相比，其禁帶寬度更寬，耐高溫特性更強，開關頻率更高，損……
記住這些英文縮寫，秒懂電路原理圖
  • 更新日期： 2022-05-04
  • 瀏覽次數： 3134
設計原理圖時，網絡標號要盡量簡潔眀了。 本文總結了一下基本的表示方法，供大家參考。 常用控制接口 ……
信號線上串個小電阻干啥用的？
  • 更新日期： 2022-05-04
  • 瀏覽次數： 3885
問題： 查看有些原理圖的設計時，經常看到串一些小電阻，如0Ω，22Ω，33Ω等等，但是也不是一定串。同樣場合有的串，有的不串。這是為什么呢？這里電阻串聯的意義是什么呢？什么時候需要串電阻呢，阻值取多大呢？ 關于這個問題，我們先看下網上的一些答案： 有人說：參考設計上推薦……
內阻很小的MOS管為什么會發熱？
  • 更新日期： 2022-05-04
  • 瀏覽次數： 2967
Source、Drain、Gate分別對應場效應管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。 EDA365電子論壇
電路中7個常用接口類型
  • 更新日期： 2022-04-20
  • 瀏覽次數： 2558
我們知道，在電路系統的各個子模塊進行數據交換時可能會存在一些問題導致信號無法正常、高質量地“流通”，例如有時電路子模塊各自的工作時序有偏差（如CPU與外設）或者各自的信號類型不一致（如傳感器檢測光信號）等，這時我們應該考慮通過相應的接口方式來很好地處理這個問題。 下面就電路設計中7個常用的接口類型的關鍵點……
電壓型PWM控制器之LM5025芯片知識
  • 更新日期： 2022-04-20
  • 瀏覽次數： 8746
今天說一款電壓型PWM控制器，那就是LM5025芯片，下面咱們看一下它的基本參數。 基本特性： 芯片內置啟動偏置調節器，具有可編程的低壓鎖定輸出功能（UVLO），電壓型驅動器，5V參考電壓，具有可編程軟啟動功能，具有熱……
瞬態抑制二極管-TVS管怎么選型
  • 更新日期： 2022-04-20
  • 瀏覽次數： 3925
TVS全稱是transient voltage suppressor，瞬態電壓抑制器，它是一種保護器件。TVS管也屬于二極管，只不過特性與二極管的有區別，它的工作原理與穩壓二極管類似，也是利用反向擊穿穩定電壓，但TVS管的響應速度要快于穩壓管。 當電路中的TVS管受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以極高的速度（幾百皮秒）將兩級間的阻抗變為低阻抗，起到很好的浪涌功率吸收作用，同時也能使兩級之間的電壓保持在一個范圍內，達到有效保護電路中其他元器件的免受浪涌脈沖的損壞。 TVS管和ZenerDiode兩
走進晶圓廠，深入了解芯片制造流程
  • 更新日期： 2022-04-14
  • 瀏覽次數： 2093
有些晶體管的尺寸超過500億個，這些晶體管比人類頭發絲的寬度還小1萬倍。它們是在巨大的超潔凈廠房地板上制作的，可達七層樓高，長度相當于四個足球場。 微芯片在許多方面都是現代經濟的命脈。它們為電腦、智能手機、汽車、電器和其他許多電子產品提供動力。但自疫情以來，世界對它們的需求激增，這也導致供應鏈中斷，導致全……
FinFET晶體管設計工藝
  • 更新日期： 2022-04-13
  • 瀏覽次數： 4878
FinFET試圖克服晶體管遇到的最糟糕類型的短溝道效應，同時使芯片能夠以更低的成本實現更高的性能指標。自從半導體取得突破以來，縱觀集成電路設計的歷史，摩爾定律——即一塊硅上的晶體管數量每兩年翻一番，而且將一直保持不變。隨著代工廠開發越來越先進的工藝節點以滿足消費者的需求，當今先進處理器上的晶體管數量達到數百億。這與1970年代中期只有幾千個晶體管的處理器相去甚遠，這在當時是最先進的。 推動半導體行業發展并使今天的芯片成為可能的關鍵技術趨勢之一是采用FinFET工藝。另一種有前途的技術是環柵(GAA)
ZVS零電壓開關反激
  • 更新日期： 2022-04-11
  • 瀏覽次數： 6621
在傳統以及準諧振反激形式應用中，由于MOS導通時的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現，很好的解決了這些痛點。 先從反激應用電路開始分析，再轉到ZVS零電壓開關電路應用一. 反激應用中MOSF……

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