隨著半導(dǎo)體制程制程不斷突破，業(yè)界流傳著一個被稱為「摩爾定律 」的著名論點。它是英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾在1965年提出的，其核心內(nèi)容為：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。這項定律不僅是對產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢的一種分析預(yù)測，同時也成了半導(dǎo)體制程發(fā)展的動力——……

近日，上海市發(fā)布《關(guān)于促進智算云產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的實施意見（2025-2027年）》，提出到2027年智算云產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破2000億元，構(gòu)建云邊端協(xié)同生態(tài)體系的宏偉目標。在這一產(chǎn)業(yè)藍圖中，邊緣計算設(shè)備作為連接云端與終端的關(guān)鍵節(jié)點，其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。而SLPESD3V3S1BA-N瞬態(tài)抑制二極管，這款僅3.3V工作電壓……

近日，蔚來汽車發(fā)布自研芯片"神璣NX9031"，作為業(yè)界首款采用5nm車規(guī)工藝制造的高階智能駕駛芯片，其集成超500億顆晶體管的卓越性能引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。在這一技術(shù)突破背后，一個看似不起眼卻至關(guān)重要的電子元件——瞬態(tài)抑制二極管SMF13A，正默默守護著這些精密芯片的安全運行。本文將探討瞬態(tài)抑制二極管如何成為智能駕駛系統(tǒng)……

近日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來重大利好消息——上揚軟件正式啟動12英寸特色工藝晶圓全自動生產(chǎn)線CIM系統(tǒng)。這一突破標志著我國在半導(dǎo)體制造關(guān)鍵系統(tǒng)領(lǐng)域取得重要進展，為國產(chǎn)芯片自主可控再添重要砝碼。CIM（Computer Integrated Manufacturing）系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造工廠的"大腦"和"中樞神經(jīng)系統(tǒng)"，負責協(xié)調(diào)控……

近日，西安交通大學(xué)電信學(xué)部李強副教授團隊在光電芯片領(lǐng)域取得重大突破，成功研制出基于氮化硼材料的深紫外光電芯片。這一科研成果發(fā)表在《自然·通訊》雜志上，迅速引發(fā)科技界和產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。

3月26-28日，全球半導(dǎo)體行業(yè)矚目的"跨界全球·心芯相聯(lián)"SEMICON/FPD China 2025在上海新國際博覽中心盛大舉辦。作為亞洲規(guī)模最大的半導(dǎo)體行業(yè)盛會，本屆展會吸引了來自全球的1200多家企業(yè)參展，集中展示了半導(dǎo)體制造、設(shè)計、材料、設(shè)備等領(lǐng)域的最新技術(shù)成果。在這場行業(yè)盛宴中，國內(nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè)薩科微(S……

近日，螞蟻集團宣布成功利用中國自主研發(fā)的芯片技術(shù)，將其AI模型訓(xùn)練成本降低20%。這一突破性進展不僅展示了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速進步，也為整個電子產(chǎn)業(yè)鏈帶來了新的發(fā)展機遇。在這一背景下，薩科微(Slkor)等國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)正通過創(chuàng)新產(chǎn)品為電子設(shè)備提供關(guān)鍵保護——其明星產(chǎn)品SMF33A瞬態(tài)抑制二極管(TVS)正是國產(chǎn)芯片技……

中科院全固態(tài)深紫外（DUV）光源技術(shù)的突破，讓國產(chǎn)光刻機核心部件的自主化進程向前邁進一大步。然而，在光刻機內(nèi)部精密的光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，一個常被忽視的真相是：每束DUV光子的精準投射，都離不開納米級瞬態(tài)電壓的嚴密守護。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB20CA瞬態(tài)抑制二極管，正以“光電邊界守衛(wèi)者”的姿態(tài)，成為國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備突破的……

近日，珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息，在半導(dǎo)體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成為國產(chǎn)AI芯片崛起的標志性事件。然而，在算力狂飆的表象之下，一個常被忽視的真相是：每一次芯片性能的躍升，都離不開防護元件的靜默守護。薩科微半導(dǎo)體推出的SLESD5Z36瞬態(tài)抑制二極管，正……

在工業(yè)自動化、汽車電子及通信電源等高壓應(yīng)用場景中，瞬態(tài)電壓事件對電路可靠性的威脅尤為顯著。SLPESD24VS1U作為一款專為24V系統(tǒng)設(shè)計的高壓瞬態(tài)抑制（TVS）二極管，通過參數(shù)優(yōu)化實現(xiàn)了對浪涌脈沖、ESD及感性負載切換的精準防護。其24V反向工作電壓、50pF結(jié)電容及SOD-523封裝特性，使其成為高壓、緊湊型電子……

在電子設(shè)備向低功耗、高頻化方向發(fā)展的背景下，瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管作為關(guān)鍵防護元件，需同時滿足低電容、高靈敏度與小型化需求。SLESD5302F-3TR作為一款專為低壓高速場景設(shè)計的TVS二極管，通過參數(shù)優(yōu)化實現(xiàn)了對靜電放電（ESD）、電感負載瞬變及浪涌脈沖的精準抑制，成為現(xiàn)代電子設(shè)計的優(yōu)選方案。

九峰山實驗室發(fā)布的100nm硅基氮化鎵商用工藝設(shè)計套件，標志著第三代半導(dǎo)體技術(shù)正式邁入亞百納米時代。這項突破使氮化鎵功率器件的導(dǎo)通電阻降低40%，開關(guān)頻率突破1GHz大關(guān)，為5G基站、車載激光雷達和消費電子快充領(lǐng)域打開了效率革命的大門。然而，實驗室數(shù)據(jù)揭示了一個關(guān)鍵矛盾：當?shù)壘w管柵極長度縮短至100nm量級時，其……